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EVERLIGHT长爬电距离贴片光耦EL817S2

发布日期:2018-10-22 17:13:05

 

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EL817X(Y)(Z)-FVG

说明:

EL是Everlight的简写标识

X = Lead form option (S, S1, S2, M or none)电极脚的规格,Sx表示贴片方式,M表示宽脚位0.4 "即10.0mm

Y = CTR Rank (A, B, C, D, X , Y or none)电流放大倍率,例如C表示CTR为200~400%

Z = Tape and reel option (TA, TB, TU, TD or none).包装方式,包装管或者贴片编带的具体方式

F = Lead frame option (F: Iron, None: copper)电极引脚的材质,F为特合金,不标注表示铜合金

V = VDE safety (optional).德国的VDE安规认证          

G = Halogens free符合卤素管制要求

 

EL817使用额定最大范围

项目

符号

最大范围

单位

输入端

顺向电流

IF

60

mA

峰值电流(1us脉冲)

IFP

1

A

反向电压

VR

6

V

功率消耗

Pd

100

mW

2.9

mW/℃

输出端

功率消耗

Pc

150

mW

5.8

mW/℃

集电极电流

Ic

50

mA

集电极-发射极电压

Vceo

35

V

发射极-集电极电压

Veco

6

V

总的功率消耗

Ptot

200

mW

隔离电压

Viso

5000

V

工作温度

Topr

-55~110

储存温度

Tstg

-55~125

焊锡温度

Tsol

260

 

光耦EL817输入端特性

项目

符号

最小值

平均值

最大值

单位

条件

顺向电压

VF

---

1.2

1.4

V

IF=20mA

反向电流

IR

---

--

10

uA

VR=4V

输入端电容

Cin

---

30

250

pF

V = 0, f = 1kHz

 

光耦EL817输出端特性

项目

符号

最小值

平均值

最大值

单位

条件

集电极与发射极暗电流

Iceo

---

---

100

nA

VCE = 20V, IF = 0mA

集电极-发射极击穿电压

BVceo

80

--

---

V

IC = 0.1mA

发射极-集电极击穿电压

BVeco

7

---

---

V

IE = 0.1mA

 

光耦EL817基本的转换特性

品名型号

图标符号

最小值

平均值

最大值

单位

测试条件

按CTR分

EL817

CTR

50

---

600

%

IF=5mA

,Vce=5V

EL817A

80

---

160

EL817B

130

---

260

EL817C

200

---

400

EL817D

300

---

600

EL817X

100

---

200

EL817Y

150

---

300

集电极发射极饱和电压

Vce(sat)

---

0.1

0.2

V

IF = 20mA ,IC = 1mA

隔离阻值

Rio

5×1010

---

---

Ω

VIO = 500Vdc,40~60% R.H.

浮动电容

Cio

---

0.6

1.0

pF

VIO = 0, f = 1MHz

截止频率

fC

---

80

---

kHz

VCE = 5V, IC = 2mARL = 100Ω, -3dB

上升时间

tr

---

6

18

us

VCE = 2V, IC = 2mA,RL = 100

下降时间

tf

---

6

18

us

光耦817主要是应用在众多类型的电源设备产品中起到隔离高低电压的作用,尤其在家电、充电器以及照明控制装置等市面上使用的众多终端产品设备中都有广泛使用,同时光耦817还起到运输电路之间信号的作用,简化电路设计从而可以减少电路之间的干扰增强安全性。

●光电耦合器/光耦电流传输比CTR,指的是输出电流与输入电流之比,即输出电流IC与输入电流IF的百分比,通常用百分数来表示。公式:CTR=IC/ IF×100%,EVERLIGHT亿光原装正品 4SOP贴片光耦EL817S2(C)(TU)-FG的-G表示不含卤素,简称“无卤”,“C”等级的CTR为200~400%(测试条件:IF=5mA ,VCE=5V)

 

●4SOP贴片光耦EL817S2(C)(TU)-FG爬电距离10.0mm,以应对各种设计需求(长爬电距离规格一般选择:插件为M型,贴片为S2型)

方式

常规

M型

S型

S1型

S2型

爬电距离

7.62mm

10.16mm

7.62mm

7.62mm

10.0mm

 

文章关键词:光耦817、贴片光耦、无卤光耦、晶体管光耦、长爬电距离
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