EVERLIGHT光耦品类多样化，品种全面：晶体管直流输入的光耦、晶体管交流输入的光耦、带过零触发的可控硅光耦、不带过零触发的可控硅光耦、达林顿光耦、高速光耦、继电器光耦，插件型、贴片型；EVERLIGHT光耦目前实际产能为310KK/月
4PIN光耦EL817命名/品名编码方式：
EL817X(Y)(Z)-FVG
说明：
EL是Everlight的简写标识
X = Lead form option (S, S1, S2, M or none)电极脚的规格，Sx表示贴片方式，M表示宽脚位0.4 "即10.0mm
Y = CTR Rank (A, B, C, D, X , Y or none)电流放大倍率，例如C表示CTR为200~400%
Z = Tape and reel option (TA, TB, TU, TD or none).包装方式，包装管或者贴片编带的具体方式
F = Lead frame option (F: Iron, None: copper)电极引脚的材质，F为特合金，不标注表示铜合金
V = VDE safety (optional).德国的VDE安规认证
G = Halogens free符合卤素管制要求
EL817-G是一款4PIN插件的无卤光耦，用代号-G表示符合“无卤”要求，目前逐步有较多客人要求符合无卤管制：
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卤素名称
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氟Fluorine
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氯Chlorine
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溴Bromine
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碘Iodine
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全氟辛烷磺酸
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全氟辛酸
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铍Beryllium
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无卤要求
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<50mg/kg
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<50mg/kg
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<50mg/kg
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<50mg/kg
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<10mg/kg
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<10mg/kg
|
<2mg/kg
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实际检测
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n.d
|
89.8
|
n.d
|
n.d
|
n.d
|
n.d
|
n.d
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EL817使用额定最大范围
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项目
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符号
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最大范围
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单位
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输入端
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顺向电流
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IF
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60
|
mA
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峰值电流（1us脉冲）
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IFP
|
1
|
A
|
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反向电压
|
VR
|
6
|
V
|
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功率消耗
|
Pd
|
100
|
mW
|
|
2.9
|
mW/℃
|
|
输出端
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功率消耗
|
Pc
|
150
|
mW
|
|
5.8
|
mW/℃
|
|
集电极电流
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Ic
|
50
|
mA
|
|
集电极-发射极电压
|
Vceo
|
35
|
V
|
|
发射极-集电极电压
|
Veco
|
6
|
V
|
|
总的功率消耗
|
Ptot
|
200
|
mW
|
|
隔离电压
|
Viso
|
5000
|
V
|
|
工作温度
|
Topr
|
-55~110
|
℃
|
|
储存温度
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Tstg
|
-55~125
|
℃
|
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焊锡温度
|
Tsol
|
260
|
℃
|
光耦EL817输入端特性
|
项目
|
符号
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
单位
|
条件
|
|
顺向电压
|
VF
|
---
|
1.2
|
1.4
|
V
|
IF=20mA
|
|
反向电流
|
IR
|
---
|
--
|
10
|
uA
|
VR=4V
|
|
输入端电容
|
Cin
|
---
|
30
|
250
|
pF
|
V = 0, f = 1kHz
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光耦EL817输出端特性
|
项目
|
符号
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
单位
|
条件
|
|
集电极与发射极暗电流
|
Iceo
|
---
|
---
|
100
|
nA
|
VCE = 20V, IF = 0mA
|
|
集电极-发射极击穿电压
|
BVceo
|
80
|
--
|
---
|
V
|
IC = 0.1mA
|
|
发射极-集电极击穿电压
|
BVeco
|
7
|
---
|
---
|
V
|
IE = 0.1mA
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光耦EL817基本的转换特性
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品名型号
|
图标符号
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
单位
|
测试条件
|
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按CTR分
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EL817
|
CTR
|
50
|
---
|
600
|
%
|
IF=5mA
,Vce=5V
|
|
EL817A
|
80
|
---
|
160
|
|
EL817B
|
130
|
---
|
260
|
|
EL817C
|
200
|
---
|
400
|
|
EL817D
|
300
|
---
|
600
|
|
EL817X
|
100
|
---
|
200
|
|
EL817Y
|
150
|
---
|
300
|
|
集电极发射极饱和电压
|
Vce(sat)
|
---
|
0.1
|
0.2
|
V
|
IF = 20mA ,IC = 1mA
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|
隔离阻值
|
Rio
|
5×1010
|
---
|
---
|
Ω
|
VIO = 500Vdc,40~60% R.H.
|
|
浮动电容
|
Cio
|
---
|
0.6
|
1.0
|
pF
|
VIO = 0, f = 1MHz
|
|
截止频率
|
fC
|
---
|
80
|
---
|
kHz
|
VCE = 5V, IC = 2mARL = 100Ω, -3dB
|
|
上升时间
|
tr
|
---
|
6
|
18
|
us
|
VCE = 2V, IC = 2mA,RL = 100
|
|
下降时间
|
tf
|
---
|
6
|
18
|
us
|
电流转换倍率CTR= IC / IF * 100%
IC :光电晶体管PT输出电流
IF :发射管IR LED驱动电流
光耦817主要是应用在众多类型的电源设备产品中起到隔离高低电压的作用，尤其在家电、充电器以及照明控制装置等市面上使用的众多终端产品设备中都有广泛使用，同时光耦817还起到运输电路之间信号的作用，简化电路设计从而可以减少电路之间的干扰增强安全性。
