红外发光二极管/发射二极管/850nm发射管 额定工作范围（以HIR333C-A为例说明）
|
项目
|
符号
|
范围
|
单位
|
|
持续的正向电流
|
IF
|
50
|
mA
|
|
峰值电流（脉冲频宽≤100us,冲击≤1%）
|
IFP
|
1.0
|
A
|
|
反向电压
|
VR
|
5
|
V
|
|
工作温度
|
Ta
|
-25~+85
|
℃
|
|
储存温度
|
Ts
|
-40~+100
|
℃
|
|
焊锡温度（焊锡点在胶体以下4mm外，≤5秒）
|
Tsol
|
260
|
℃
|
|
消耗功率（常温25℃以内）
|
Pd
|
100
|
mW
|
红外发光二极管/发射二极管/850nm发射管 电子特性（以HIR333C-A为例说明）
|
项目
|
符号
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
单位
|
测试条件
|
|
发射强度
|
Ie
|
7.8
|
15
|
---
|
mW/sr
|
IF=20mA(IF：顺向电流)
|
|
---
|
140
|
---
|
IF=100mA,tp=100_s, tP/T=0.01
|
|
---
|
980
|
---
|
IF=1A,tp=100_s, tP/T=0.01
|
|
峰值波长
|
λp
|
---
|
850
|
---
|
nm
|
IF=20mA
|
|
波长宽度
|
∆λ
|
---
|
45
|
---
|
nm
|
IF=20mA
|
|
顺向电压
|
VF
|
---
|
1.2
|
1.5
|
V
|
IF=20mA
|
|
---
|
1.8
|
2.4
|
IF=100mA,tp=100_s, tP/T=0.01
|
|
---
|
4.1
|
5.25
|
IF=1A,tp=100_s, tP/T=0.01
|
|
反向漏电电流
|
IR
|
---
|
---
|
10
|
uA
|
VR=5V(VR：反向电压)
|
|
发射角度
|
2θ1/2
|
---
|
17
|
---
|
Deg.
|
IF=20mA
|
红外发光二极管/发射二极管/850nm发射管 发射强度等级（以HIR333C-A为例说明）IF20mA，单位mW/sr
|
等级代码
|
M
|
N
|
P
|
Q
|
R
|
|
最小值
|
7.8
|
11.0
|
15
|
21
|
30
|
|
最大值
|
12.5
|
17.6
|
24
|
34
|
48
|
HIR333C-A插件式红外发射管是EVERLIGHT一款高辐射强度850nm峰值波长的红外发射二极管，采用GaAlAs材质的发光芯片与黄色透明环氧树脂封装，2.54mm极性脚距，高辐射强度（高发射功率）与低顺向电压，具有高可靠性，其设计用于与光敏三极管、光电二极管、红外接收头等搭配使用，产品符合无铅制程与环保RoHS要求。HIR系列插件式红外发射二极管市场应用相当广泛，包含影像感测、体感/移动侦测、光遮断感测、光电开关、接近开关、光盘驱动、红外感测、数码相机、空间信号传送装置、位置感测、生物辨识、脉搏血氧侦测等